全部分类 射频器件 射频晶体管 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
商品
品牌
参数描述
MPQ|MOQ
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MACOM
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
MPQ: 20
MOQ: 1
递增量: 1
58
1+
¥315.80364
$38.91
10+
¥295.28573
$36.382
25+
¥273.09588
$33.648
100+
¥256.02739
$31.545
250+
¥238.9589
$29.442
大陆:7-10工作日
香港:5-7工作日
计: ¥315.80
MACOM
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
MPQ: 10
MOQ: 10
递增量: 10
期货
10+
¥529.36491
$65.875
100+
¥478.13605
$59.5
大陆:36-38周
香港:36-38周
计: ¥5293.65
ST Microelectronics
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
MPQ: 600
MOQ: 600
递增量: 600
期货
600+
¥87.15737
$10.846
大陆:25-27周
香港:25-27周
计: ¥52294.42
ST Microelectronics
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
MPQ: 600
MOQ: 600
递增量: 600
期货
600+
¥186.19341
$23.1702
大陆:25-27周
香港:25-27周
计: ¥111716.05
MACOM
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
MPQ: 6
MOQ: 1
递增量: 1
1
1+
¥2559.21879
$315.32
10+
¥2435.64874
$300.095
25+
¥2347.40066
$289.222
大陆:7-10工作日
香港:5-7工作日
计: ¥2559.22
NXP / Freescale
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V
MPQ: 50
MOQ: 50
递增量: 50
期货
50+
¥2128.9129
$264.92526
大陆:16-18周
香港:16-18周
计: ¥106445.64
ST Microelectronics
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
MPQ: 25
MOQ: 50
递增量: 25
期货
50+
¥687.18195
$85.514
大陆:32-34周
香港:32-34周
计: ¥34359.10
NXP / Freescale
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 2GHz 60W OM780-4
MPQ: 250
MOQ: 250
递增量: 250
期货
250+
¥227.21837
$28.27541
大陆:10-12周
香港:10-12周
计: ¥56804.59
ST Microelectronics
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
MPQ: 600
MOQ: 600
递增量: 600
期货
600+
¥308.01677
$38.33009
大陆:25-27周
香港:25-27周
计: ¥184810.06
NXP / Freescale
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
MPQ: 50
MOQ: 50
递增量: 50
期货
50+
¥658.24749
$81.91335
100+
¥598.85054
$74.5219
大陆:10-12周
香港:10-12周
计: ¥32912.37
NXP / Freescale
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V
MPQ: 500
MOQ: 500
递增量: 500
期货
500+
¥291.76778
$36.30804
大陆:10-12周
香港:10-12周
计: ¥145883.89
NXP / Freescale
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W
MPQ: 250
MOQ: 250
递增量: 250
期货
250+
¥765.55809
$95.26725
大陆:10-12周
香港:10-12周
计: ¥191389.52
NXP / Freescale
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1452-1511 MHz, 93 W AVG., 31 V
MPQ: 150
MOQ: 150
递增量: 150
期货
150+
¥832.00599
$103.53613
大陆:12-14周
香港:12-14周
计: ¥124800.90
NXP / Freescale
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4
MPQ: 250
MOQ: 250
递增量: 250
期货
250+
¥802.46738
$99.8603
大陆:10-12周
香港:10-12周
计: ¥200616.85
MACOM
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
MPQ: 1
MOQ: 1
递增量: 1
期货
1+
¥3579.53219
$445.4426
10+
¥3447.56134
$429.01994
大陆:25-27周
香港:25-27周
计: ¥3579.53
NXP / Freescale
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V
MPQ: 50
MOQ: 50
递增量: 50
期货
50+
¥4271.11532
$531.50429
大陆:12-14周
香港:12-14周
计: ¥213555.77
ST Microelectronics
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
MPQ: 600
MOQ: 600
递增量: 600
期货
600+
¥155.59977
$19.36308
大陆:25-27周
香港:25-27周
计: ¥93359.86
NXP / Freescale
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2450 MHz, 250 W, 32 V
MPQ: 250
MOQ: 250
递增量: 250
期货
250+
¥885.92374
$110.24574
大陆:12-14周
香港:12-14周
计: ¥221480.94
NXP / Freescale
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
MPQ: 1000
MOQ: 1000
递增量: 1000
期货
1000+
¥47.38465
$5.89662
大陆:16-18周
香港:16-18周
计: ¥47384.65
NXP / Freescale
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N
MPQ: 500
MOQ: 500
递增量: 500
期货
500+
¥144.28691
$17.95529
大陆:12-14周
香港:12-14周
计: ¥72143.46
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